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WSD1216DN22-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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WINSOK Semiconductor/台湾微硕半导体

厂牌: WINSOK Semiconductor/台湾微硕半导体

供应商: 云汉在库

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描述:2.5W 900mV@ 250uA 12V 20mΩ@ 4.5V,9.4A 9.4A DFN2X2-6S 贴片安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 DFN2X2-6S  
RoHS -  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -  
长*宽*高 -  
应用等级 -  
零件状态 -  
包装方式 -  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 900mV@ 250uA  
栅极电荷 -  
Vds-漏源极击穿电压 12V  
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 4.5V,9.4A  
FET类型 -  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -  
Id-连续漏极电流 9.4A  
通道数量 -  
Vgs-栅源极电压 -  
配置 -  
最大功率耗散 2.5W  
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