处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
STP9NK50Z-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

STP9NK50Z 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥3.3
10+ ¥3.2
50+ ¥3.1
100+ ¥3
  • 库存: 49 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

STMicroelectronics

厂牌: STMicroelectronics

供应商: 云汉在库

标准整包数: 50

批次: 2001+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 MDmesh, SuperMESH系列, Vds=500 V, 7.2 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-220  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 10.4mm*4.6mm*9.15mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
Rds(On)-漏源导通电阻 850mΩ@ 3.6A,10V  
栅极电荷 32nC@ 10 V  
最大功率耗散 110W(Tc)  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 100µA  
Id-连续漏极电流 7.2A  
Vgs-栅源极电压 30V  
配置 独立式  
Vds-漏源极击穿电压 500V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 910pF@25V  
FET类型 1个N沟道  
通道数量 1  
推荐替代 查看更多>
VBM15R13
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
STB9NK50ZT4
厂牌: STMicroelectronics/意法半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 90%
去搜索
SPP07N60S5XKSA1
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 86%
去搜索
STP9NK60Z
厂牌: STMicroelectronics/意法半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 86%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧