处理中...

低价
拼团
IRFB4115PBF-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

IRFB4115PBF 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥5.7388
10+ ¥5.2906
30+ ¥4.3959
100+ ¥3.8326
300+ ¥3.6829
1000+ ¥3.5294
  • 库存: 33017 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1-3工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

INFINEON TECHNOLOGIES

厂牌: INFINEON TECHNOLOGIES

供应商: 云汉在库

标准整包数: 1000

批次: 2242+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=150 V, 104 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-220AB  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 9.02mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.27nF@50V  
配置 独立式  
Id-连续漏极电流 104A  
栅极电荷 120nC@ 10 V  
Vgs-栅源极电压 20V  
FET类型 1个N沟道  
Vds-漏源极击穿电压 150V  
Rds(On)-漏源导通电阻 11mΩ@ 62A,10V  
最大功率耗散 380W(Tc)  
通道数量 1  
推荐替代 查看更多>
JMSH1509AC
厂牌: JJW/江苏捷捷微电子
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
JMSH1511AC
厂牌: JJW/江苏捷捷微电子
分类:
相似度: 推荐替代
去搜索
IRFB4115PBF-VB
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
VBM1151N
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧