处理中...

低价
拼团
NTMFS4C302NT1G-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

NTMFS4C302NT1G 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥3.0607
10+ ¥2.8216
30+ ¥2.3445
100+ ¥2.044
300+ ¥1.9642
1500+ ¥1.8824
  • 库存: 9728 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1-3工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

ON SEMICONDUCTOR

厂牌: ON SEMICONDUCTOR

供应商: 云汉在库

标准整包数: 1500

批次: 2215+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:3.13W(Ta),96W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 82nC@ 10V 1个N沟道 30V 1.15mΩ@ 30A,10V 41A,230A 5.78pF@15V SO-8,SO-8FL 贴片安装 4.9mm*5.9mm*1.05mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SO-8,SO-8FL  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 4.9mm*5.9mm*1.05mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 散装,卷带装  
最大功率耗散 3.13W(Ta),96W(Tc)  
配置 独立式  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.78pF@15V  
Id-连续漏极电流 41A,230A  
栅极电荷 82nC@ 10V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA  
Vgs-栅源极电压 20V  
Rds(On)-漏源导通电阻 1.15mΩ@ 30A,10V  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
FET类型 1个N沟道  
通道数量 1  
推荐替代 查看更多>
NTMFS4C302NT1G-VB
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
VBQA1301
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
TQM150NB04CR
厂牌: Taiwan Semiconductor/台湾半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 40%
去搜索
SM6012NSUC-TRG
厂牌: Sinopower Semiconductor/台湾大中
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 40%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧