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DMC3025LSD-13-晶体管 - FET,MOSFET - 阵列-云汉芯城ICKey.cn

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DIODES INCORPORATED

厂牌: DIODES INCORPORATED

供应商: 云汉在库

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描述:1.5W 20V 2V@ 250µA 9.8nC@ 10V 2N+2P沟道 30V 20mΩ@ 7.4A,10V 6.5A,4.2A 501pF@15V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.45mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOIC-8  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.45mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
通道数量 2  
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 7.4A,10V  
栅极电荷 9.8nC@ 10V  
最大功率耗散 1.5W  
配置  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA  
Vgs-栅源极电压 20V  
FET类型 2N+2P沟道  
Id-连续漏极电流 6.5A,4.2A  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 501pF@15V  
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