处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
BSC0901NSI-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

BSC0901NSI 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥5.6206
10+ ¥4.5541
30+ ¥4.0007
100+ ¥3.4588
500+ ¥3.176
  • 库存: 178 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

Infineon Technologies/IR

厂牌: Infineon Technologies/IR

供应商: 云汉在库

标准整包数: 2000

批次: 2039+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:2.5KW 20V 2.2V 41nC 1个N沟道 30V 2mΩ@ 10V 100A 2.6nF@ 15V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TDSON(EP)  
RoHS 合规  
安装方式 支架安装,贴片安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 5.15mm*590cm*1mm  
应用等级 汽车级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.6nF@ 15V  
Id-连续漏极电流 100A  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
Vgs-栅源极电压 20V  
最大功率耗散 2.5KW  
栅极电荷 41nC  
配置 独立式  
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@ 10V  
FET类型 1个N沟道  
通道数量 1  
推荐替代 查看更多>
BSC028N06NS
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 77%
去搜索
BSC039N06NS
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 77%
去搜索
BSC0902NS
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 77%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧