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IPD30N10S3L-34-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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Infineon Technologies/IR

厂牌: Infineon Technologies/IR

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描述:57KW 20V 2.4V 24nC@ 10V 1个N沟道 100V 31mΩ@ 10V 40A 1.52nF@ 25V TO-252 贴片安装 6.5mm*622cm*2.51mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-252  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃~175℃  
长*宽*高 6.5mm*622cm*2.51mm  
应用等级 汽车级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V  
栅极电荷 24nC@ 10V  
Id-连续漏极电流 40A  
最大功率耗散 57KW  
Rds(On)-漏源导通电阻 31mΩ@ 10V  
Vgs-栅源极电压 20V  
Vds-漏源极击穿电压 100V  
配置 独立式  
FET类型 1个N沟道  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.52nF@ 25V  
通道数量 1  
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