处理中...

低价
拼团
云汉现货 2小时发
2V7002LT1G-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

2V7002LT1G 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
10+ ¥0.135
100+ ¥0.127
500+ ¥0.118
3000+ ¥0.11
  • 库存: 4872 起订量: 10 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

ON SEMICONDUCTOR

厂牌: ON SEMICONDUCTOR

供应商: 云汉在库

标准整包数: 3000

批次: 2136+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:225mW(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 1.12nC 1个N沟道 60V 7.5Ω@ 500mA,10V 115mA 50pF@25V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.3mm*1mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-23-3,TO-236  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1mm  
应用等级 汽车级  
零件状态 在售  
包装方式 散装,卷带装  
Id-连续漏极电流 115mA  
通道数量 1  
Vgs-栅源极电压 20V  
最大功率耗散 225mW(Ta)  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
栅极电荷 1.12nC  
FET类型 1个N沟道  
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5Ω@ 500mA,10V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@25V  
配置 独立式  
推荐替代 查看更多>
VB162K
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
2V7002LT1G-VB
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
2V7002LT1G
厂牌: MLSM/木林胜微电子
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
2N7002LT1H
厂牌: ON Semiconductor
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 90%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧