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SIA517DJ-T1-GE3-晶体管 - FET,MOSFET - 阵列-云汉芯城ICKey.cn

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VISHAY SEMICONDUCTORS

厂牌: VISHAY SEMICONDUCTORS

供应商: 云汉在库

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描述:Vishay N/P沟道增强型MOS管, Vds=12 V, 4.3 A,4.5 A, SOT-363封装, 表面贴装, 6引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 PPAKSC-70  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 2.05mm*2.05mm*750μm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA  
Vds-漏源极击穿电压 12V  
Id-连续漏极电流 4.5A  
通道数量 -  
栅极电荷 15nC@ 8V  
Vgs-栅源极电压 8V  
配置 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 29mΩ@ 5A,4.5V  
FET类型 2N+2P沟道  
最大功率耗散 1.9W  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 500pF@6V  
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