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IRFS3206TRRPBF-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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Infineon Technologies/IR

厂牌: Infineon Technologies/IR

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描述:Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 210 A, D2-Pak封装, 通孔安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 D2PAK  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 5.08mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Id-连续漏极电流 120A  
通道数量 1  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.54nF@50V  
Vgs-栅源极电压 20V  
FET类型 1个N沟道  
最大功率耗散 300W(Tc)  
Rds(On)-漏源导通电阻 3mΩ@ 75A,10V  
栅极电荷 170nC@ 10 V  
配置 独立式  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA  
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VBL1603
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分类: 场效应管(MOSFET)
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