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NCE82H140D-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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NCEPOWER/无锡新洁能

厂牌: NCEPOWER/无锡新洁能

供应商: 云汉在库

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描述:250W 20V 3V 158nC@ 10V 1个N沟道 82V 6mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,, 140mA 7.9nF@ 40V TO-263
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-263  
RoHS -  
安装方式 -  
工作温度 -55℃~175℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V  
最大功率耗散 250W  
FET类型 1个N沟道  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.9nF@ 40V  
Vgs-栅源极电压 20V  
配置 -  
栅极电荷 158nC@ 10V  
通道数量 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ(mΩ) @VGS=10V,25℃,,  
Id-连续漏极电流 140mA  
Vds-漏源极击穿电压 82V  
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