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STF24N60DM2-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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STMICROELECTRONICS

厂牌: STMICROELECTRONICS

供应商: 云汉在库

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描述:30W(Tc) 25V 5V@ 250µA 29nC@ 10 V 1个N沟道 600V 200mΩ@ 9A,10V 18A 1.055nF@100V TO-220 通孔安装 20mm(高度)
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-220  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 20mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
Id-连续漏极电流 18A  
通道数量 1  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA  
Vds-漏源极击穿电压 600V  
FET类型 1个N沟道  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.055nF@100V  
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 9A,10V  
最大功率耗散 30W(Tc)  
栅极电荷 29nC@ 10 V  
配置 独立式  
Vgs-栅源极电压 25V  
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