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G2R120MT33J-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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GeneSiC Semiconductor

厂牌: GeneSiC Semiconductor

供应商型号: UA-G2R120MT33J

供应商: 海外现货

标准整包数: 120

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描述:145nC@ 20 V 3.706nF@1000V 156mΩ@ 20A,20V 35A 3.3KV 1个N沟道 TO-263-7 贴片安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>碳化硅场效应管  
通用封装 TO-263-7  
RoHS -  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
配置 -  
最大功率耗散 -  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.706nF@1000V  
栅极电荷 145nC@ 20 V  
Vgs-栅源极电压 -  
FET类型 1个N沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -  
Vds-漏源极击穿电压 3.3KV  
通道数量 -  
Id-连续漏极电流 35A  
最大功率 -  
Idss-饱和漏极电流 -  
击穿电压 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 156mΩ@ 20A,20V  
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