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IPD70R360P7S-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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Infineon Technologies

厂牌: Infineon Technologies

供应商: 云汉在库

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描述:59.5KW 16V 3.5V 16.4nC@ 10V 2个N沟道 700V 360mΩ@ 10V 7.5A 517pF@ 400V TO-252 贴片安装 6.5mm*622cm*2.3mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-252  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -40℃~150℃  
长*宽*高 6.5mm*622cm*2.3mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V  
Id-连续漏极电流 7.5A  
栅极电荷 16.4nC@ 10V  
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ@ 10V  
FET类型 2个N沟道  
通道数量 -  
Vgs-栅源极电压 16V  
Vds-漏源极击穿电压 700V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 517pF@ 400V  
配置 -  
最大功率耗散 59.5KW  
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