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STL140N6F7-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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STMICROELECTRONICS

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描述:STMicroelectronics N沟道增强型MOS管 STripFET F7系列, Vds=60 V, 140 A, PowerFLAT 5 x 6封装, 表面贴装, 8引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 -  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 175℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 5mm*6mm*1mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA  
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5mΩ@ 16A,10V  
栅极电荷 40nC@ 10 V  
配置 独立式  
Vgs-栅源极电压 20V  
通道数量 1  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.7nF@25V  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
Id-连续漏极电流 145A  
最大功率耗散 4.8W(Ta),125W(Tc)  
FET类型 1个N沟道  
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JMSL0601BG
厂牌: JJW/江苏捷捷微电子
分类: 场效应管(MOSFET)
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厂牌: TOSHIBA
分类: 场效应管(MOSFET)
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厂牌: LRC/乐山无线电
分类: 场效应管(MOSFET)
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SI4688
厂牌: Nanxin/深圳南芯微电子
分类: 场效应管(MOSFET)
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