处理中...

低价
拼团
DMP2035UVT-7-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

DMP2035UVT-7 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
3000+ ¥0.6373
9000+ ¥0.6118
  • 库存: 6000 起订量: 3000 增量: 3000
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后1-3工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

DIODES

厂牌: DIODES

供应商: 云汉在库

标准整包数: 3000

批次: 2348+

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:1.2W(Ta) 12V 1.5V@ 250µA 23.1nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 35mΩ@ 4A,4.5V 6A 2.4nF@10V TSOT-26 贴片安装 2.9mm*160cm*1mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TSOT-26  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 2.9mm*160cm*1mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
通道数量 1  
Vgs-栅源极电压 12V  
栅极电荷 23.1nC@ 4.5 V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.4nF@10V  
Vds-漏源极击穿电压 20V  
Id-连续漏极电流 6A  
配置 独立式  
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 4A,4.5V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA  
最大功率耗散 1.2W(Ta)  
FET类型 1个P沟道  
推荐替代 查看更多>
DMP2033UVT-13
厂牌: DIODES
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 79%
去搜索
DMP3068LVT-13
厂牌: DIODES
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 79%
去搜索
DMP2033UVT-7
厂牌: DIODES
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 79%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧