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IRF1404ZSTRLPBF-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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INFINEON TECHNOLOGIES

厂牌: INFINEON TECHNOLOGIES

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描述:Infineon N沟道MOS管 HEXFET系列, Vds=40 V, 180 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-263  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 10mm*9.25mm*4.4mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
通道数量 1  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.34nF@25V  
Vgs-栅源极电压 20V  
FET类型 1个N沟道  
最大功率耗散 200W(Tc)  
配置 独立式  
Vds-漏源极击穿电压 40V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 150µA  
Id-连续漏极电流 180A  
Rds(On)-漏源导通电阻 3.7mΩ@ 75A,10V  
栅极电荷 150nC@ 10 V  
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