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SI3437DV-T1-GE3-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

SI3437DV-T1-GE3 秒杀商品
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VISHAY INTERTECHNOLOGY

厂牌: VISHAY INTERTECHNOLOGY

供应商: 云汉在库

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描述:Vishay P沟道MOS管, Vds=150 V, 1.4 A, TSOP-6封装, 表面贴装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TSOP-6  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 3.05mm*1.65mm*1.1mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Id-连续漏极电流 1.4A  
Vgs-栅源极电压 20V  
Vds-漏源极击穿电压 150V  
Rds(On)-漏源导通电阻 750mΩ@ 1.4A,10V  
最大功率耗散 2W(Ta),3.2W(Tc)  
配置 -  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 510pF@50V  
栅极电荷 19nC@ 10 V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA  
通道数量 -  
FET类型 1个P沟道  
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