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SIA527DJ-T1-GE3-晶体管 - FET,MOSFET - 阵列-云汉芯城ICKey.cn

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VISHAY INTERTECHNOLOGY

厂牌: VISHAY INTERTECHNOLOGY

供应商: 云汉在库

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描述:1.9W 8V 1V@ 250µA 15nC@ 8V 2N+2P沟道 12V 29mΩ@ 5A,4.5V 4.5A 500pF@6V SOT 贴片安装 2.05mm*2.05mm*750μm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 2.05mm*2.05mm*750μm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Id-连续漏极电流 4.5A  
配置 -  
通道数量 -  
Vds-漏源极击穿电压 12V  
Rds(On)-漏源导通电阻 29mΩ@ 5A,4.5V  
最大功率耗散 1.9W  
Vgs-栅源极电压 8V  
栅极电荷 15nC@ 8V  
FET类型 2N+2P沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 500pF@6V  
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FDC6320C
厂牌: ON Semiconductor
分类: 场效应管(MOSFET)
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分类: 场效应管(MOSFET)
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