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FDS8884-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

FDS8884 秒杀商品
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描述:onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=30 V, 8.5 A, SOIC封装, 表面贴装, 8引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOIC-8  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.75mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@ 8.5A,10V  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
Id-连续漏极电流 8.5A  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 635pF@15V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA  
配置 独立式quaddraintriplesource  
FET类型 1个N沟道  
通道数量 1  
Vgs-栅源极电压 20V  
最大功率耗散 2.5W(Ta)  
栅极电荷 13nC@ 10 V  
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