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SQJA84EP-T1_GE3-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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VISHAY INTERTECHNOLOGY

厂牌: VISHAY INTERTECHNOLOGY

供应商: 云汉在库

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描述:55W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 35nC@ 10 V 1个N沟道 80V 12.5mΩ@ 10A,10V 46A 2.1nF@25V SOP 贴片安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOP  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 -  
应用等级 汽车级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Id-连续漏极电流 46A  
Vds-漏源极击穿电压 80V  
最大功率耗散 55W(Tc)  
Rds(On)-漏源导通电阻 12.5mΩ@ 10A,10V  
栅极电荷 35nC@ 10 V  
FET类型 1个N沟道  
通道数量 1  
Vgs-栅源极电压 20V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.1nF@25V  
配置 独立式  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA  
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