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MJD32CT4G-晶体管 - 双极 (BJT) - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:onsemi PNP晶体管, DPAK (TO-252)封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流-3 A, 最大集电极-发射电压-100 V
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>三极管(BJT)  
通用封装 TO-252,TO-252-2  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -65℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 2.51mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 散装,卷带装  
集电极截止电流 50μA  
VCBO-最大集电极基极电压 100V  
最大功率耗散 1.56W  
集电极电流 3A  
配置 独立式  
最大集电极发射极饱和电压 1.2@ 375mA,3A  
晶体管类型 PNP  
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V  
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 1.2V@ 375mA,3A  
VEBO-最大发射极基极电压 5V  
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