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BSC010NE2LS-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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Infineon Technologies

厂牌: Infineon Technologies

供应商: 云汉在库

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描述:96KW 20V 2V 64nC 1个N沟道 25V 1mΩ@ 10V 100A 4.7nF@ 12V TDSON(EP) 支架安装,贴片安装 5.15mm*590cm*1mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TDSON(EP)  
RoHS 合规  
安装方式 支架安装,贴片安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 5.15mm*590cm*1mm  
应用等级 汽车级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
最大功率耗散 96KW  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.7nF@ 12V  
通道数量 1  
Vds-漏源极击穿电压 25V  
Rds(On)-漏源导通电阻 1mΩ@ 10V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V  
栅极电荷 64nC  
配置 独立式  
FET类型 1个N沟道  
Id-连续漏极电流 100A  
Vgs-栅源极电压 20V  
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