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20N06-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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GOFORD/深圳谷峰电子

厂牌: GOFORD/深圳谷峰电子

供应商型号: 20N06 TO-252

供应商: 国内现货

标准整包数: 2500

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描述:1个N沟道 耐压:60V 电流:25A
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-252  
RoHS -  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 -  
包装方式 卷带装  
最大功率耗散 41W(Tc)  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
Vgs-栅源极电压 20V  
通道数量 -  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA  
FET类型 1个N沟道  
栅极电荷 25nC@ 10 V  
Id-连续漏极电流 25A  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.609nF@30V  
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 20A,10V  
配置 -  
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