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FDP032N08B-F102-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:263W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 144nC@ 10 V 1个N沟道 80V 3.3mΩ@ 100A,10V 120A 10.965nF@40V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-220-3  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
Rds(On)-漏源导通电阻 3.3mΩ@ 100A,10V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10.965nF@40V  
FET类型 1个N沟道  
栅极电荷 144nC@ 10 V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA  
通道数量 1  
Id-连续漏极电流 120A  
最大功率耗散 263W(Tc)  
配置 独立式  
Vds-漏源极击穿电压 80V  
Vgs-栅源极电压 20V  
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