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FCH47N60F-F133-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

FCH47N60F-F133 秒杀商品
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描述:417W 30V 5V 270nC 1个N沟道 600V 70mΩ@ 23.5A,10V 47A 8nF@ 25V TO-247-3 通孔安装 15.87mm*4.82mm*20.82mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-247-3  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 15.87mm*4.82mm*20.82mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V  
Vgs-栅源极电压 30V  
Rds(On)-漏源导通电阻 70mΩ@ 23.5A,10V  
最大功率耗散 417W  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8nF@ 25V  
通道数量 1  
Id-连续漏极电流 47A  
Vds-漏源极击穿电压 600V  
FET类型 1个N沟道  
栅极电荷 270nC  
配置 独立式  
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VBP16R47S
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
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厂牌: Rochester Electronics
分类: 场效应管(MOSFET)
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厂牌: ON Semiconductor
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