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CRSS028N10N--云汉芯城ICKey.cn

CRSS028N10N 秒杀商品
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CR MICRO/无锡华润微电子

厂牌: CR MICRO/无锡华润微电子

供应商型号: Q-CRSS028N10N

供应商: 国内现货

标准整包数: 2500

批次: 26+

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描述:227W 30V 3.8V 2个P沟道 100V 207A 11.355nF@ 50V TO-263
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-263  
RoHS -  
安装方式 -  
工作温度 -  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 -  
配置 -  
栅极电荷 -  
FET类型 2个P沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V  
通道数量 -  
最大功率耗散 227W  
Vds-漏源极击穿电压 100V  
Id-连续漏极电流 207A  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 11.355nF@ 50V  
Vgs-栅源极电压 30V  
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