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FCH104N60F-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:onsemi N沟道增强型MOS管 SuperFET II系列, Vds=600 V, 37 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-247-3  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 15.62mm*4.7mm*24.38mm  
应用等级 工业级  
零件状态 新设计不推荐  
包装方式 管装  
栅极电荷 139nC@ 10 V  
通道数量 1  
Vds-漏源极击穿电压 600V  
最大功率耗散 357W(Tc)  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA  
配置 独立式  
Vgs-栅源极电压 20V  
FET类型 1个N沟道  
Rds(On)-漏源导通电阻 104mΩ@ 18.5A,10V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.95nF@100V  
Id-连续漏极电流 37A  
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