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NCE01P30K-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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NCEPOWER/无锡新洁能

厂牌: NCEPOWER/无锡新洁能

供应商型号: NCE01P30K

供应商: 国内现货

标准整包数: 250

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描述:120W(Tc) 20V 2.5V@ 250uA 136nC@ 50V 1个P沟道 100V 58mΩ@ 10V,15A 30A 3.81nF@ 50V TO-252-2
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-252-2  
RoHS -  
安装方式 -  
工作温度 -55℃~175℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 -  
Id-连续漏极电流 30A  
Vgs-栅源极电压 20V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA  
配置 -  
通道数量 -  
Vds-漏源极击穿电压 100V  
最大功率耗散 120W(Tc)  
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@ 10V,15A  
栅极电荷 136nC@ 50V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.81nF@ 50V  
FET类型 1个P沟道  
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