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CSD87330Q3D-晶体管 - FET,MOSFET - 阵列-云汉芯城ICKey.cn

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TEXAS INSTRUMENTS

厂牌: TEXAS INSTRUMENTS

供应商: 云汉在库

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描述:6W 10V 2.1V@ 250µA 5.8nC@ 4.5V 2个N沟道 30V 1Ω@10V,4A 20A 900pF@15V 贴片安装 1.5mm(高度)
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 -  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 1.5mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
栅极电荷 5.8nC@ 4.5V  
通道数量 2  
配置  
Id-连续漏极电流 20A  
Rds(On)-漏源导通电阻 1Ω@10V,4A  
Vgs-栅源极电压 10V  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
最大功率耗散 6W  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 900pF@15V  
FET类型 2个N沟道  
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