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SISA12ADN-T1-GE3-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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VISHAY INTERTECHNOLOGY

厂牌: VISHAY INTERTECHNOLOGY

供应商: 云汉在库

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描述:3.5W(Ta),28W(Tc) 20V,16V 2.2V@ 250µA 45nC@ 10 V 1个N沟道 30V 4.3mΩ@ 10A,10V 25A 2.07nF@15V 1212 贴片安装 3.05mm*3.05mm*1.07mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 1212  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 3.05mm*3.05mm*1.07mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.07nF@15V  
Vgs-栅源极电压 20V,16V  
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3mΩ@ 10A,10V  
配置 独立式  
栅极电荷 45nC@ 10 V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA  
最大功率耗散 3.5W(Ta),28W(Tc)  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
通道数量 1  
FET类型 1个N沟道  
Id-连续漏极电流 25A  
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