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BS170-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 500 mA, TO-92封装, 通孔安装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-92-3  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 5.33mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 散装,袋装  
Vgs-栅源极电压 20V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@1mA  
Rds(On)-漏源导通电阻 5Ω@ 200mA,10V  
栅极电荷 0.6nC@ 10V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 40pF@10V  
配置 独立式  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
通道数量 1  
最大功率耗散 830mW(Ta)  
Id-连续漏极电流 500mA  
FET类型 1个N沟道  
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