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FDB33N25TM-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:onsemi N沟道增强型MOS管 UniFET系列, Vds=250 V, 33 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-263  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 5.08mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 散装,卷带装  
通道数量 1  
Vds-漏源极击穿电压 250V  
Rds(On)-漏源导通电阻 94mΩ@ 16.5A,10V  
FET类型 1个N沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.135nF@25V  
配置 独立式  
最大功率耗散 235W(Tc)  
Vgs-栅源极电压 30V  
Id-连续漏极电流 33A  
栅极电荷 48nC@ 10 V  
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