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DMP21D0UT-7-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:240mW(Ta) 8V 700mV @ 250µA (Typ) 1.54nC@ 8 V 1个P沟道 20V 495mΩ@ 400mA,4.5V 590mA 80pF@10V SOT-523 贴片安装 1.6mm*800μm*800μm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-523  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 1.6mm*800μm*800μm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vgs-栅源极电压 8V  
Rds(On)-漏源导通电阻 495mΩ@ 400mA,4.5V  
栅极电荷 1.54nC@ 8 V  
最大功率耗散 240mW(Ta)  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 700mV @ 250µA (Typ)  
FET类型 1个P沟道  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 80pF@10V  
Vds-漏源极击穿电压 20V  
配置 独立式  
Id-连续漏极电流 590mA  
通道数量 1  
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