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BSS8402DW-7-F-晶体管 - FET,MOSFET - 阵列-云汉芯城ICKey.cn

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描述:200mW 20V 2.5V@ 250µA 0.53nC 2N+2P沟道 60V,50V 7.5Ω@ 50mA,5V 115mA,130mA 50pF@ 25V,45pF@ 25V SOT-363 贴片安装 2.15mm*1.3mm*1mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-363  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 2.15mm*1.3mm*1mm  
应用等级 商用级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Id-连续漏极电流 115mA,130mA  
最大功率耗散 200mW  
栅极电荷 0.53nC  
Vgs-栅源极电压 20V  
通道数量 2  
Vds-漏源极击穿电压 60V,50V  
配置  
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5Ω@ 50mA,5V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@ 25V,45pF@ 25V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA  
FET类型 2N+2P沟道  
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