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NDFP03N150CG-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:2W(Ta),32W(Tc) 30V 4V 34nC@ 10 V 1个N沟道 1.5KV 10.5Ω@ 1A,10V 2.5A 650pF@30V TO-220-3 通孔安装 10.16mm*4.7mm*19.1mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-220-3  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 150℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 10.16mm*4.7mm*19.1mm  
应用等级 工业级  
零件状态 停产  
包装方式 管装  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 650pF@30V  
FET类型 1个N沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V  
Rds(On)-漏源导通电阻 10.5Ω@ 1A,10V  
配置 独立式  
栅极电荷 34nC@ 10 V  
Vds-漏源极击穿电压 1.5KV  
Id-连续漏极电流 2.5A  
最大功率耗散 2W(Ta),32W(Tc)  
Vgs-栅源极电压 30V  
通道数量 1  
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