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2N7002--云汉芯城ICKey.cn

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子

厂牌: HXY MOSFET/深圳华轩阳电子

供应商型号: CCT-2N7002

供应商: 海外现货

标准整包数: 3000

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描述:ID:0.3A,VDSS:60V,RDON:1000mR,VGS:20V,TYPE:N沟道,
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-23  
RoHS -  
安装方式 -  
工作温度 -  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 -  
FET类型 2个N沟道  
Id-连续漏极电流 115mA  
最大功率耗散 350mW  
栅极电荷 30nC  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
配置 -  
通道数量 -  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V  
Vgs-栅源极电压 20V  
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5Ω  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF  
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