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NCE40H29D-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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NCEPOWER/无锡新洁能

厂牌: NCEPOWER/无锡新洁能

供应商: 云汉在库

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描述:310W 2.5V@ 250uA 1个N沟道 40V 2.4mΩ@ 10V,20A 290mA TO-263
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-263  
RoHS -  
安装方式 -  
工作温度 -  
长*宽*高 -  
应用等级 -  
零件状态 -  
包装方式 -  
Id-连续漏极电流 290mA  
栅极电荷 -  
Vds-漏源极击穿电压 40V  
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4mΩ@ 10V,20A  
配置 -  
Vgs-栅源极电压 -  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250uA  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -  
最大功率耗散 310W  
通道数量 -  
FET类型 1个N沟道  
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