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NCE12P09S-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

NCE12P09S 秒杀商品
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NCEPOWER/无锡新洁能

厂牌: NCEPOWER/无锡新洁能

供应商: 云汉在库

标准整包数: 4000

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描述:2.5W 12V 700mV 1个P沟道 12V ,18(mΩ) @VGS=4.5V,25℃,22(mΩ) @VGS=2.5V,25℃ 9A SOP-8 贴片安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOP-8  
RoHS -  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -  
长*宽*高 -  
应用等级 -  
零件状态 -  
包装方式 -  
FET类型 1个P沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 700mV  
通道数量 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 ,18(mΩ) @VGS=4.5V,25℃,22(mΩ) @VGS=2.5V,25℃  
Vgs-栅源极电压 12V  
Id-连续漏极电流 9A  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -  
最大功率耗散 2.5W  
栅极电荷 -  
Vds-漏源极击穿电压 12V  
配置 -  
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