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FDN86265P-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:onsemi P沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=150 V, 800 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-23  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 2.92mm*1.4mm*950μm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Id-连续漏极电流 800mA  
Vds-漏源极击穿电压 150V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 210pF@75V  
Vgs-栅源极电压 25V  
配置 独立式  
通道数量 1  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA  
FET类型 1个P沟道  
最大功率耗散 1.5W(Ta)  
Rds(On)-漏源导通电阻 1.2Ω@ 800mA,10V  
栅极电荷 4.1nC@ 10V  
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