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TPH4R008NH,L1Q(M-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:2.8W 20V 4V@1mA 2个N沟道 80V 4mΩ@ 10V,30A 60A SOP-8 贴片安装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOP-8  
RoHS -  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 -  
包装方式 卷带装  
Id-连续漏极电流 60A  
配置 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 10V,30A  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@1mA  
最大功率耗散 2.8W  
FET类型 2个N沟道  
Vgs-栅源极电压 20V  
栅极电荷 -  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -  
通道数量 -  
Vds-漏源极击穿电压 80V  
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