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BSS606N H6327-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

BSS606N H6327 秒杀商品
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INFINEON TECHNOLOGIES

厂牌: INFINEON TECHNOLOGIES

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描述:1W(Ta) 20V 2.3V@ 15µA 5.6nC@ 5 V 1个N沟道 60V 60mΩ@ 3.2A,10V 657pF@25V SOT-89-3 贴片安装 4.5mm*2.5mm*1.5mm
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-89-3  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 4.5mm*2.5mm*1.5mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 散装,卷带装  
Id-连续漏极电流 -  
Vgs-栅源极电压 20V  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@ 3.2A,10V  
栅极电荷 5.6nC@ 5 V  
最大功率耗散 1W(Ta)  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 657pF@25V  
FET类型 1个N沟道  
通道数量 1  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V@ 15µA  
配置 独立式  
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