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WNM6002-3/TR-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

WNM6002-3/TR 秒杀商品
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WILLSEMI(韦尔)

厂牌: WILLSEMI(韦尔)

供应商型号: 30C-WNM6002-3/TR SOT-323

供应商: 云汉优选

标准整包数: 3000

批次: 两年内

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描述:310mW 20V 2V 1.2nC@ 10V 2个N沟道 60V 2Ω@ 10V 300mA 23.37pF@ 25V SOT-323-3
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-323-3  
RoHS 合规  
安装方式 -  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 2Ω@ 10V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V  
FET类型 2个N沟道  
Vds-漏源极击穿电压 60V  
栅极电荷 1.2nC@ 10V  
最大功率耗散 310mW  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 23.37pF@ 25V  
Vgs-栅源极电压 20V  
配置 -  
通道数量 -  
Id-连续漏极电流 300mA  
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