处理中...

云汉
优选
WPM2015-3/TR-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

WPM2015-3/TR 秒杀商品
数量
内地交货

价格梯度 内地交货(含增值税13%)
1+ ¥0.5221
200+ ¥0.337
1500+ ¥0.2933
3000+ ¥0.2599
45000+ ¥0.2576
60000+ ¥0.2542
  • 库存: 85023 起订量: 1 增量: 1
  • 交货地:
数量:
× --(单价)
合计: --
立即咨询
剩余   
拼团价: 人已参与
货期:内地 成团后3-5工作日
起订量:
增量:
单个客户购买上限:
加入购物车

WILLSEMI(韦尔)

厂牌: WILLSEMI(韦尔)

供应商型号: 30C-WPM2015-3/TR SOT-23

供应商: 云汉优选

标准整包数: 3000

批次: 两年内

封装及设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model

产品详情 Datasheet 环保文件 如果您发现商品信息不准确,提交纠错赠5000积分

登录完成可直接复制
你正在使用的浏览器版本过低,将不能正常浏览和使用,请更新到IE8以上
描述:800mW 8V 810mV 9.6nC@ 4.5V 1个P沟道 20V 4mΩ@ 30A,10V 2.4A 534pF@10V SOT-23 贴片安装 2.9mm(长度)*1.33mm(宽度)
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOT-23  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -  
长*宽*高 2.9mm(长度)*1.33mm(宽度)  
应用等级 -  
零件状态 -  
包装方式 卷带装  
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 30A,10V  
栅极电荷 9.6nC@ 4.5V  
通道数量 1  
FET类型 1个P沟道  
最大功率耗散 800mW  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 810mV  
Vgs-栅源极电压 8V  
配置 -  
Id-连续漏极电流 2.4A  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 534pF@10V  
Vds-漏源极击穿电压 20V  
推荐替代 查看更多>
VB2290
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
WPM2015-3/TR
厂牌: JSMICRO/深圳杰盛微
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
WPM2015-MS
厂牌: MSKSEMI/台湾美森科
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 推荐替代
去搜索
SI2301S
厂牌: MDD/辰达半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
相似度: 73%
去搜索
温馨提示
您拥有地球人惊叹的手速
快点击验证身份吧