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DMN2009LSS-13-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:2W(Ta) 12V 1.2V@ 250µA 58.3nC@ 10 V 1个N沟道 20V 8mΩ@ 12A,10V 12A 2.555nF@10V SOIC-8 贴片安装 1.6mm(高度)
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 SOIC-8  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 1.6mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
最大功率耗散 2W(Ta)  
配置 独立式quaddraintriplesource  
Id-连续漏极电流 12A  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.555nF@10V  
栅极电荷 58.3nC@ 10 V  
Vgs-栅源极电压 12V  
FET类型 1个N沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V@ 250µA  
通道数量 1  
Rds(On)-漏源导通电阻 8mΩ@ 12A,10V  
Vds-漏源极击穿电压 20V  
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