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NCE0117I-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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NCEPOWER/无锡新洁能

厂牌: NCEPOWER/无锡新洁能

供应商: 云汉在库

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描述:55W 30nC@ 10V 1个N沟道 100V 56mΩ@ 10V,5A 17mA TO-251
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-251  
RoHS -  
安装方式 -  
工作温度 -55℃~150℃  
长*宽*高 -  
应用等级 工业级  
零件状态 -  
包装方式 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 56mΩ@ 10V,5A  
栅极电荷 30nC@ 10V  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -  
FET类型 1个N沟道  
通道数量 -  
Id-连续漏极电流 17mA  
配置 -  
Vds-漏源极击穿电压 100V  
Vgs-栅源极电压 -  
最大功率耗散 55W  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -  
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IPU60R950C6BKMA1
厂牌: Infineon Technologies
分类: 场效应管(MOSFET)
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25T03GJ
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
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5N60 TO251
厂牌: VBsemi/微碧半导体
分类: 场效应管(MOSFET)
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