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IRFH8318TRPBF-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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INFINEON TECHNOLOGIES

厂牌: INFINEON TECHNOLOGIES

供应商: 云汉在库

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描述:Infineon N沟道MOS管, Vds=30 V, 120 A, PQFN 5 x 6封装, 表面贴装
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 PQFN,PQFN-5,PQFN-8  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 4.9mm*5.75mm*1.03mm  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
最大功率耗散 3.6W(Ta),59W(Tc)  
Vgs-栅源极电压 20V  
通道数量 1  
Rds(On)-漏源导通电阻 3.1mΩ@ 20A,10V  
配置 独立式  
FET类型 1个N沟道  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.35V@ 50µA  
Id-连续漏极电流 27A,120A  
Vds-漏源极击穿电压 30V  
栅极电荷 41nC@ 10 V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.18nF@10V  
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