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FGA60N65SMD-晶体管 - UGBT,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:onsemi IGBT, 最大 650 V, 最大 120 A
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>IGBT单管  
通用封装 TO-3P  
RoHS 合规  
安装方式 通孔安装  
工作温度 -55℃(TJ)-175℃(TJ)  
长*宽*高 23.8mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 管装  
最大集电极发射极饱和电压 1.9V  
配置 独立式withbuilt-indiode  
集电极电流 120A  
最大功率耗散 600W  
VCEO-集电极-发射极最大电压 650V  
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