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FQD2N90TM-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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描述:2.5W(Ta),50W(Tc) 30V 5V@ 250µA 15nC@ 10 V 1个N沟道 900V 7.2Ω@ 850mA,10V 1.7A 500pF@25V TO-252AA 贴片安装 2.52mm(高度)
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-252AA  
RoHS 合规  
安装方式 贴片安装  
工作温度 -55℃(TJ)-150℃(TJ)  
长*宽*高 2.52mm(高度)  
应用等级 工业级  
零件状态 在售  
包装方式 卷带装  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA  
栅极电荷 15nC@ 10 V  
配置 独立式withbuilt-indiode  
FET类型 1个N沟道  
最大功率耗散 2.5W(Ta),50W(Tc)  
Vds-漏源极击穿电压 900V  
通道数量 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 7.2Ω@ 850mA,10V  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 500pF@25V  
Vgs-栅源极电压 30V  
Id-连续漏极电流 1.7A  
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