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CS10N80FA9D-晶体管 - FET,MOSFET - 单-云汉芯城ICKey.cn

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CR Micro/无锡华润微电子

厂牌: CR Micro/无锡华润微电子

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描述:60W(Tc) 4V@ 250uA 800V 900mΩ@ 10V,5A 10A TO-220F-3
产品属性 属性值  
商品目录 二极管/晶体管/晶闸管>场效应管(MOSFET)  
通用封装 TO-220F-3  
RoHS -  
安装方式 -  
工作温度 -  
长*宽*高 -  
应用等级 -  
零件状态 -  
包装方式 -  
Id-连续漏极电流 10A  
通道数量 -  
FET类型 -  
Vgs-栅源极电压 -  
Rds(On)-漏源导通电阻 900mΩ@ 10V,5A  
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -  
最大功率耗散 60W(Tc)  
Vds-漏源极击穿电压 800V  
栅极电荷 -  
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250uA  
配置 -  
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